工業的蓬勃發展，全球能源消耗逐年增加。在我國，機動車污染已成為空氣污染的重要來源，是造成灰霾、光化學煙霧污染的重要原因，機動車污染防治的緊迫性日益凸顯。節能減排已成為汽車業發展的重大課題。因此，大力發展新能源汽車是實現節能減排，促進我國汽車產業可持續發展的戰略性措施。

 目前，EV（純電動汽車）和HEV（混合動力汽車）的電力驅動部分主要由硅(Si)基功率器件組成。隨著電動汽車的發展，對電力驅動的小型化和輕量化提出了更高的要求。然而，由于材料限制，傳統Si基功率器件在許多方面已逼近甚至達到了其材料的本征極限，因此，各汽車廠商都對新一代碳化硅(SiC)功率器件寄予了厚望。

　　以碳化硅為代表的第三代半導體，與單晶硅和砷化鎵等傳統半導體材料相比，具有明顯的優勢，如高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、高鍵合能、高化學穩定性、抗輻射性強等，決定了碳化硅在諸多領域有著不可替代的地位。主要如下：

（1）SiC具有高熱導率（達到4.9W/cm?K），是Si的3.3倍。因此，SiC材料散熱效果好，理論上，SiC功率器件可在 175℃結溫下工作，因此散熱器的體積可以顯著減小，適合用來制作高溫器件。

（2）SiC具有高的擊穿場強，其擊穿電場是Si的10倍，因而適用于高壓開關，功率處理能力強，使得SiC材料適于制作大功率、大電流器件。

（3）SiC具有高的飽和電子漂移速率，其數值是Si的2倍，在高場下幾乎不發生衰減，其高場處理能力強，因此，SiC材料適用于高頻器件。

　　SiC單晶在制備技術上也是第三代半導體材料中最成熟的。因此SiC是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。

　　眾所周知，高功率密度、高壓、大電流IGBT功率模塊是逆變器里最核心的部件，它的功率密度越高，電力驅動系統的設計則越緊湊，在相同體積下就能發揮更大功率。由于SiC器件電流密度高(如 Infineon 產品可達 700 A/cm2)，在相同功率等級下，全 SiC功率模塊的封裝尺寸顯著小于Si IGBT功率模塊，大大減小了功率模塊的體積。

　　另一方面，由于所有的功率轉換都由IGBT執行，所以器件本身沒有更多的空間來散熱，也不能通過增加風扇等其他方式散熱，這就要求IGBT本身有很好的散熱功能。理論上，SiC 功率器件可在 175℃結溫下工作，因此散熱器的體積可以顯著減小。

　　此外，與傳統硅IGBT相比，SiC器件的導通電阻較小導通損耗下降；特別是SiC SBDs，具有較小的反向恢復電流，開關損耗大幅降低，大幅提高系統效率。

　　綜上所述，碳化硅器件在電動汽車中的應用潛力巨大。SiC器件可以顯著減小電力系統的體積、重量和成本。提高功率密度和系統效率。使其成為EV和HEV電力驅動裝置中的理想器件，也將為電動汽車的動力驅動系統帶來革命性的改變。

　　在國家政策支持下，國內新能源汽車銷量快速增長。根據工信部數據顯示， 2015 年累計生產新能源汽車37.90萬輛，同比增長4倍，銷售33.11萬輛，同比增長3.4倍，在全球新能源汽車超過50萬輛的年銷量中，中國市場的貢獻超過一半。政策規劃2020年累計銷量達500萬輛，復合增速50%以上。《節能與新能源汽車產業發展規劃（2012-2020 年）》指出2020年新能源汽車累計銷量達到500萬輛；同時，2015年國務院下發《中國制造2025》中明確提出到2020年我國自主品牌新能源汽車年銷量突破100萬輛，在國內市場占70%以上，新能源汽車銷量達到145 輛以上。

　　依據產業調研情況，在新能源汽車領域，每個充電樁需要SiC功率器件6只，功率器件單價在40-80元，總價值量為200-500元；新能源汽車大約需要SiC功率器件13只，單價在40-80，總價值量在 500-1000元。

　　到2020年，中國新能源汽車年保有量按照500萬量計算，分散式充電樁保有量480萬個。到2020年僅新能源汽車貢獻的SiC 潛在市場空間就超過百億元。