面對日益嚴苛的能效要求，節能減碳已成為現今電子產品不可忽略的重要環節；傳統以硅為材料的功率半導體，正逐漸面臨發展瓶頸，而具有比硅更低導通電阻及更高切換速度的碳化硅（SiC）功率器件以其優異的高耐壓、低損耗、高導熱率等優異性能，有效實現電力電子系統的高效率、小型化和輕量化。

碳化硅（SiC）材料較傳統硅材料硬度要大，晶圓尺寸進一步擴大時工藝技術目前還很難控制。現在SiC產品的晶圓尺寸只能做到6英寸；相較目前大部分硅（Si）功率器件都已經向12英寸晶圓遷移的進度，碳化硅（SiC）功率器件肯定有些落后了，而這也將限制其成本控制的步伐。針對SiC材料硬度的優化已成為業界重要課題，就像當年真空管向硅材料的過渡一樣，任何一種新材料都要經歷 一個優化到成熟的過程，相信通過業界的努力，SiC材料將成為一種成熟的主流的功率器件材料。