面對(duì)日益嚴(yán)苛的能效要求，節(jié)能減碳已成為現(xiàn)今電子產(chǎn)品不可忽略的重要環(huán)節(jié)；傳統(tǒng)以硅為材料的功率半導(dǎo)體，正逐漸面臨發(fā)展瓶頸，而具有比硅更低導(dǎo)通電阻及更高切換速度的碳化硅（SiC）功率器件以其優(yōu)異的高耐壓、低損耗、高導(dǎo)熱率等優(yōu)異性能，有效實(shí)現(xiàn)電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化。氯化氫合成系統(tǒng)

碳化硅（SiC）材料較傳統(tǒng)硅材料硬度要大，晶圓尺寸進(jìn)一步擴(kuò)大時(shí)工藝技術(shù)目前還很難控制。現(xiàn)在SiC產(chǎn)品的晶圓尺寸只能做到6英寸；相較目前大部分硅（Si）功率器件都已經(jīng)向12英寸晶圓遷移的進(jìn)度，碳化硅（SiC）功率器件肯定有些落后了，而這也將限制其成本控制的步伐。針對(duì)SiC材料硬度的優(yōu)化已成為業(yè)界重要課題，就像當(dāng)年真空管向硅材料的過渡一樣，任何一種新材料都要經(jīng)歷 一個(gè)優(yōu)化到成熟的過程，相信通過業(yè)界的努力，SiC材料將成為一種成熟的主流的功率器件材料。鹽酸解析工藝